Pri reshenii ryada prikladnykh zadach gal'vanotekhniki predstavlyaet interes izmenenie parametrov elektrolitov ne tol'ko putyem vvedeniya v nikh khimicheskikh reagentov, no i s pomoshch'yu vneshnikh fizicheskikh vozdeystviy, naprimer, magnitnykh poley. Soglasno issledovaniyam, vozdeystvie na elektrolity magnitnym polem uluchshaet ikh tekhnologicheskie parametry i povyshaet kachestvo poluchaemykh pokrytiy. V rabote vpervye izuchena kinetika elektroosazhdeniya Bi iz rastvora, predvaritel'no aktivirovannogo magnitnym polem. Pri etom otmechaetsya povyshenie skorosti osazhdeniya i uvelichenie diapazona rabochikh plotnostey toka, chto vazhno dlya prakticheskoy gal'vanotekhniki. Omagnichivanie elektrolita vismutirovaniya privodit k uluchsheniyu ego tekhnologicheskikh kharakteristik, modifitsirovaniyu struktury osadkov i povysheniyu kachestva pokrytiy. Metodom rastrovoy elektronnoy mikroskopii izucheny osobennosti nachal'nykh stadiy elektrokristallizatsii i struktura osadkov Bi pri magnitoelektrolize. V rabote privedeny dannye po vliyaniyu omagnichivaniya elektrolita na elektroosazhdenie i strukturu Pb i splavov Co-Bi, Bi-Pb, Pb-In. Mozhet byt' polezna nauchnym rabotnikam, aspirantam, spetsialistam, zanimayushchimsya issledovaniem rassmotrennykh protsessov
